Датчик

Фотомикросенсор EE-SX672-WR представляет собой Т-образный щелевой фотосенсор с центральным положением щели 7 мм, зазором между датчиками 5 мм и возможностью выбора режима работы: темнота/свет.,

Фотомикросенсор EE-SX671-WR представляет собой L-образный щелевой фотомикросенсор с зазором чувствительности 5 мм, возможностью выбора режима работы (темнота/свет), выходом с открытым коллектором на NPN-транзисторе и

Фотомикросенсор EE-SX670-WR представляет собой стандартный щелевой фотомикросенсор с зазором чувствительности 5 мм, возможностью выбора режима работы (темнота/свет), выходом с открытым коллектором на NPN-транзисторе.

E3Z-R86 — это компактный ретрорефлективный фотоэлектрический датчик с функцией MSR, обеспечивающий диапазон обнаружения от 100 мм до 4 м.

E3Z-D86 — это компактный диффузно-отражательный фотоэлектрический датчик с дальностью действия 100 мм, выходом PNP с открытым коллектором и возможностью выбора режима работы (свет/темнота).,

E3T-FL13 — это сверхтонкий отражательный фотоэлектрический датчик BGS с диапазоном измерения от 1 до 15 мм, выходным сигналом PNP Light-ON.,

E3FA-RP11 — это ретрорефлективный фотоэлектрический датчик M18 с функцией MSR, обеспечивающий диапазон измерения от 0,1 до 4 м.

E3FA-DP22 — это цилиндрический диффузно-отражательный фотоэлектрический датчик с дальностью действия 300 мм, выходом PNP с открытым коллектором и возможностью выбора режима работы (свет/темнота).,

E2E-X2D1-N — это экранированный индуктивный бесконтактный датчик M8 с дальностью срабатывания 2 мм, поляризованный, двухпроводной, нормально разомкнутый, постоянного тока.

E2B-M18LN10-WZ-C1 — это индуктивный бесконтактный датчик M18 с удлиненным корпусом, неэкранированным расстоянием срабатывания 10 мм и нормально разомкнутым NPN-разъемом.